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單晶 棒
多晶 廢碎料由客戶提供，工藝由上海晶技提供。此工藝在光伏產品制造鏈中扮演著降低成本及發揮資源回收再利用、將 料品質提升以利于節能減碳、地球環保之功能之角色。我們擁有經驗豐富的團隊，透過不斷的研究發展、解決有...
更新:2021-01-01
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原生多晶
性質︰灰色金屬光澤。密度2.32~2.34。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不...
更新:2021-01-08
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多晶
高純度 （多晶 ）是當今生產的幾乎所有太陽能電池片和組件的重要原料。根據Phonton咨詢公司的研究報告，用 做原材料的光伏電池和組件佔2005年度生產的光伏產品的91%。低純度 在的分布非常廣泛，佔地殼元素含量的25%。盡...
更新:2021-01-13
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棒
料需要轉化成 棒後才能把它進一步加工成 片、電池和組件。單晶 棒生產最常用的工藝就是直拉法，簡稱CZ（Czochralski）。在這個過程中，多晶 放入石英坩堝中，經過加溫後緩慢融化， 緩慢浸入一根具有一定晶向的籽晶，...
更新:2021-01-13
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多晶 錠
多晶 廢碎料由客戶提供，工藝由上海晶技提供。此工藝在光伏產品制造鏈中扮演著降低成本及發揮資源回收再利用、將 料品質提升以利于節能減碳、地球環保之功能之角色。我們擁有經驗豐富的團隊，透過不斷的研究發展、解決有...
更新:2021-01-01
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金屬
投資 原料生產，滿足市場不同的需求。
更新:2020-09-22
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| 主營︰有機 , 金屬,甲 烷,光伏電池涂層,光伏封裝材料,光伏接線盒灌封劑,光伏接線盒粘... |
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棒
導電類型P摻雜劑Boron直徑5.5~8"晶向 ± 3°電阻率1~3 Ω .cm 3~6 Ω .cm少子壽命≧ 10 ? s位錯密度≦3000cm-2氧含量≦1.0*1018 cm-3碳含量≦5.0*1016 cm-3長度Per customer request
更新:2014-01-28
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料
采用第三代改良西門子技術，獨創高效循環生產工藝，引進第二代尾氣回收系統（CDI）、DCS控制系統及熱氫化裝置，其四氯化 的回收利用率達到99%以上，可實現零排放標準。
更新:2014-01-05
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| 主營︰光伏發電並網系統,離網系統,風光互補,光伏建築一體化,光伏水泵,光伏專用逆變器 |
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阻燃電木板(COK-997-L3)
906材質環氧玻璃縴維板、3240、FR4耐溫150-180（℃）顏色黃色、黑色、水綠色厚度0.5-50（mm）寬度1020（mm）
更新:2020-11-13
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| 主營︰環氧板,電木板,PP板,PVC板,ABS板,POM板,亞克力板,3240環氧板,FR4環氧板,水綠色環氧... |
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[促銷] 單層保護膜
PET單層保護膜材質︰pet生產工藝︰擠出吹塑用途︰多種用途厚度︰多種厚度mm寬度︰1000mm外觀︰良性能︰良供應︰單層PET保護膜，
更新:2019-07-15
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[新品] 黑色碳化
選材優質、切割能力強、抗破碎能力強、回收率高
更新:2011-07-06
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| 主營︰綠色碳化 ,黑色碳化 ,砂漿回收,線切割鋼線,線切割機台,單晶爐,開槽涂層 |
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8寸單晶 棒
種類化合物半導體特性P用途光伏發電
更新:2011-03-28
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金屬
金屬 還包括553、441、411、421、3303系列
更新:2017-12-22
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| 主營︰電池級納米 ,氧化亞 復合碳, 碳及氧化亞 ,微 粉,金屬 |
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半導體 材料制備工藝成熟，成本較低，而且熱性能與北京賽車pk10開獎性能優良，是半導體產業最重要的主體功能性材料, 集成電路芯片及各類半導體器件95%以上是用 片制造的。
更新:2017-11-17
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| 主營︰多晶 ,晶錠,晶片,電池片,組件電子,半導體,光伏垂直一體化 |
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移印 膠移印液體 膠(912)
移印 膠用于陶瓷工藝品、塑膠玩具、PVC玩具、工藝禮品、電子產品、燈飾、塑膠玩具、電鍍產品、電子玩具、商標、不規則圖案的印刷等用的 膠
更新:2020-09-01
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方 芯
縮短多晶 還原爐的反應時間，提高單位 時間的多晶 產量
更新:2015-09-10
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高純 粉
粉，可根據要求生產20-1000目，純度可提供99.9-99.9999%
更新:2012-02-08
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| 主營︰高純 粉,3N 粉, 錠,4N 粉,金屬 ,5N 粉,太陽能燈,6N 粉 |
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多晶 渣漿盤干機
上海昀望北京福彩3D開獎在引進歐洲先進技術的基礎上，結合對多晶 生產工藝的全面了解，經過與國內多晶 企業的合作試驗和實踐，開發制作了兩個系列的渣漿干燥處理設備，特殊的制作工藝，更高效的熱效率，設備運行平穩可靠，操作簡便...
更新:2018-07-23
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方
方高度300mm， 方長寬156X156mm，N型 方電阻率分布0.5-3Ω.cm，P型 方電阻率 分布1-3Ω.cm
更新:2014-11-13
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